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硅單光子探測器取得重要進展
日期:2019年10月16日 11:25     

  由無錫中微晶園電子有限公司牽頭承擔的國家重點研發計劃“重大科學儀器設備開發”重點專項“高靈敏硅基雪崩探測器研發及其產業化技術研究”項目經過近兩年的努力,突破了低抖動、大光敏面硅單光子探測芯片設計、界面電場調控的離子注入和氧化層制備、低噪聲芯片封裝等關鍵技術,開發出硅單光子探測器樣機。近日,項目順利通過了科技部高技術中心組織的中期檢查。
  硅單光子探測器具有超高靈敏度,是300-1100nm波段超高靈敏探測不可替代的關鍵芯片,且器件性能穩定可靠、易形成面陣,是實現遠距離精密測量、激光雷達等重大科學儀器的關鍵核心部件之一。目前國內硅單光子探測芯片主要依賴進口,且陣列芯片禁運。開展硅單光子探測器的自主化研究,對獨立自主研制精密測量、激光雷達等裝備具有重要意義。項目提出了雪崩過程隨機性電場抑制方法,基于國產硅片和研發平臺,研制出大光敏面、低時間抖動的硅雪崩探測器芯片,開發了一系列可工程化應用的制備關鍵技術,并在“北斗系統”開展了激光測距示范應用;同時還面向智能交通的市場需求,研制出線性模式硅雪崩探測器。
  該項目下一步將加快產品化開發,提高產品技術成熟度,加快產品應用示范及推廣。
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